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采用间接织构法制备了织构化a-C∶H薄膜.研究了其在高真空环境下的摩擦学性能，并系统考察了凹槽间距对高真空环境下织构化a-C∶H薄膜摩擦学性能的影响.通过拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线光电子能谱(XPS)对薄膜结构及磨损表面进行了分析.结果表明：与未织构a-C∶H薄膜相比，织构化a-C∶H薄膜在高真空环境下具有更为优异的摩擦学性能，且凹槽间距为0.3mm时a-C∶H薄膜的摩擦学性能最为优异.这与织构化后凹槽具有储存膜屑、有效减少摩擦过程中摩擦引致的石墨化反应及薄膜沉积时自发形成的特殊结构达到内应力释放有关.