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存在于薄膜电感器内部磁导率的分析
存在于薄膜电感器内部磁导率的分析
来源 :全国电感器件技术交流和信息发布会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangnayangyang
【摘 要】
:
该文研究薄膜电感器的平均磁导率,关系到沉积薄膜时工艺的损伤、畴壁结构、局部去磁场和电感器中的有效气隙,据估计有效空气隙对于闭合磁路的蛇形薄膜电感器内部磁率的影响是最
【作 者】
:
高敏三
黄平
【机 构】
:
电子科技大学信村学院(成都)
【出 处】
:
全国电感器件技术交流和信息发布会
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
薄膜电感器
空气隙
沉积薄膜
闭合磁路
去磁场
磁导率
壁结构
损伤
局部
工艺
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该文研究薄膜电感器的平均磁导率,关系到沉积薄膜时工艺的损伤、畴壁结构、局部去磁场和电感器中的有效气隙,据估计有效空气隙对于闭合磁路的蛇形薄膜电感器内部磁率的影响是最重要的。
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