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本文对一独特的MEMS微波开关模型进行了理论分析和仿真，该模型利用扭转臂和杠杆的原理来达到比较低的激励电压，并且获得较好的隔离度。该开关工作在DC-4GHz，插入损耗＜1dB，在1GHz的隔离度＞40dB。
一种低激励电压RF MEMS开关的分析
【摘 要】
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本文对一独特的MEMS微波开关模型进行了理论分析和仿真，该模型利用扭转臂和杠杆的原理来达到比较低的激励电压，并且获得较好的隔离度。该开关工作在DC-4GHz，插入损耗＜1dB，在1GHz的
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳919信箱515分箱 621900
【出 处】
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四川省电子学会2007年学术年会
【发表日期】
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2007年期
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