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@@InGaN材料是用于中短波长光电器件的重要材料，可以通过调节In浓度实现带隙宽度在0.7—3.4eV之间变化从而覆盖红外到紫外波段，是用于中短波长光电器件的重要材料，在蓝绿LED、太阳能电池等器件方面有广阔前景。现阶段InGaN材料主要是在GaN衬底上外延得到，但在In浓度较高时会出现相分离和In原子的偏聚严重影响晶体质量。在生长过程中InxGaI-xN/GaN的界面结构对晶体质量起到至关重要的作用，而对其界面结构深入研究的需求也日益迫切。