高折射率对晶体硅太阳能电池电性能的影响

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xll526
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因氮化硅良好的化学和电学性能,将氮化硅作为减反射和钝化膜已经广泛的应用于晶体硅太阳电池的工业化生产。本文以目前常规的工业化高效电池工艺为基础,考察了高折射率对晶硅太阳能电池主要电性能参数的影响。实验表明当折射率提高到2.18(膜厚为77nm)时,电池的转换效率比正常工艺低了0.56%,电性能良率比正常工艺低了28.62%。主要是Rsh失效比例急剧上升到28.50%,这种失效模式为我们在制造过程中查找失效原因又提供了一个新的方向。
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