【摘 要】
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氮化铝陶瓷具有热导率高、介电常数低、电绝缘性可靠、耐高温、耐腐蚀、无毒等优良的性能,同时具有与硅材料匹配的热膨胀系数,被认为是下一代半导体基片和电子器件封装的理想
【机 构】
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中南大学冶金科学与工程学院; 中国铝业股份有限公司郑州研究院; 中南大学化学化工学院;
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氮化铝陶瓷具有热导率高、介电常数低、电绝缘性可靠、耐高温、耐腐蚀、无毒等优良的性能,同时具有与硅材料匹配的热膨胀系数,被认为是下一代半导体基片和电子器件封装的理想材料。目前,制备氮化铝粉体材料的方法很多,如铝粉氮化法、化学气相沉积法、碳热还原法、叠氮法等,每种各有优缺点。本文采用溶胶—凝胶工艺,以铝盐与有机碳源混合,在一定温度及PH值下凝胶化,在高温下,干凝胶中的铝盐与有机碳源均发生化学分解,从而可以制备出分子水平均匀的铝源与碳源的混合物,由于分解后铝源与碳源均为非常细小的颗粒,同时混合的非常均匀,因此可以在非常低的温度下发生氮化反应。制备出的氮化铝粉体经SEM分析,为亚微米级,颗粒度均匀,XRD分析,Al N转化率高,无杂相,含氮量达到33%以上。
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