武汉大学加速器联机系统于2008年初步建成,200kV离子注入机至透射电镜束线进行了运行调试,开展了气体离子注入单晶Si、GaAs、Ag纳米晶和超临界反应堆材料(C276和6XN)的原位结构研究。结果表明,样品在注入至一定剂量时发生明显的多晶和非晶化,单晶Si出现非晶化的临界剂量在1014 cm-2。C276材料经1×1015cm-2的Ar离子辐照后,产生尺寸3-12nm的位错环,其密度随剂量的提高而增大,至5×1015cm-2出现多晶,剂量超过3×1016cm-2出现非晶化。 在加速器-电镜联机光路上安装有在线RBS靶室,用于对离子束辐照的材料进行元素成分和晶格定位测试。在靠近电镜端安装有50kV低能离子源,用于开展核材料中氦泡形成过程的原位观测。对RBS/C装置进行了数字化改造,用Labview控制系统运行,目前可进行计算机控制的背散射沟道测试。