2. 您的位置
3. 首页
4. 会议论文
5. Cd0.93Zn0.07S/Cd0.94Mn0.06S/Cd0.93Zn0.07S纳米线的制备与研究

Cd0.93Zn0.07S/Cd0.94Mn0.06S/Cd0.93Zn0.07S纳米线的制备与研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ti110

【摘 要】

：

以一维半导体纳米材料为基本单元构筑纳米激光器、纳米传感器等纳米器件,已成为目前纳米领域的研究热点.一维半导体纳米材料的特性对纳米器件的最终性能具有决定性影响,因而

【作 者】

：

陈佩赓 

【机 构】

：

北京师范大学 100875

【出 处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

一维纳米线 一维半导体纳米材料 纳米器件 多孔铝阳极氧化膜 基本单元构筑 电子输运特性 阳极氧化法 纳米激光器 

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

以一维半导体纳米材料为基本单元构筑纳米激光器、纳米传感器等纳米器件,已成为目前纳米领域的研究热点.一维半导体纳米材料的特性对纳米器件的最终性能具有决定性影响,因而对一维纳米线电子输运特性的研究无论从手段上还是从性能优化上都显得尤为重要.在草酸溶液中,采用二次阳极氧化法得到了多孔铝阳极氧化膜 (AAO).

其他文献

“自掺杂”铁基超导体

目前铁基超导体家族总共有近10 种结构类型.这些结构的一个共通特性是:他们都包含[Fe2X2]2-(X=As 或Se)萤石型层.通常情况下,[Fe2X2]2-层显示出条纹状反铁磁半金属基态.经过

会议

自掺杂铁基超导电性超导体载流子掺杂铁磁半金属结构类型化学掺杂

赵本山的再婚生活

赵本山与前妻葛淑珍有一个女儿赵玉芳，与马丽娟再婚后又生下了一对龙凤胎。由此，作为大牌明星，赵本山也同样要面对所有再婚家庭都不可避免的矛盾与冲突。　　　　再婚妻子让他与前妻女儿和好　　　　1992年春节，赵本山因车祸住院，结识了辽宁戏曲学校的青年教师马丽娟。两人于1992年8月8日携手步入了婚姻的殿堂。此前，赵本山与葛淑珍曾有过一次婚姻，但因已经没有了爱的感觉，在1991年5月办理了离婚手续。能够再

期刊

赵本山丽娟大牌明星再婚家庭戏曲学校玉芳大连外国语学院青年教师心存芥蒂空闲时间

The electrical, optical and thermoelectric properties of Cu doped In2O3 thin films

In2O3,a semiconductor with a direct band gap of around 2.9eV,is widely used in liquid crystal displays,light emission diodes and photovoltaic devices etc.[1-3].

会议

陆剑民故事:努力总有回报时

2004年底《汉武大帝》开播的新闻发布会上,陈宝国公开感谢卫青陆剑民:“他给我让了很多戏分,很多地方剧本写着本来是他演的,他跟导演说这剧是说汉武帝的,让陈宝国演这些内容

期刊

汉武大帝陈宝国北京电影制片厂横刀立马胡月青陆表演系刑警队长北京电影学院胡玫

Nodeless superconducting gap in the presence of spin density wave in Co-doped NaFeAs

The coexisting regime of spin density wave (SDW) and superconductivity in the iron pnictides represents a novel superconducting state.We have performed high res

会议

铝酸锌纳米晶的光致发光性能的研究

铝酸锌具有尖晶石结构,带隙3.8 eV,具有很好的热稳定性,作为良好的绝缘材料,如阻燃抑烟材料,和催化材料被广泛应用[1-3].同时,由于其较宽的带隙,在光电子器件方面也具有潜在

会议

铝酸锌纳米晶绝缘材料溶胶凝胶法尖晶石结构光电子器件固相反应法阻燃抑烟

GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合三量子阱中激子结合能及其压力效应

本文考虑更符合实际的阱和垒中介电常数的差别,采用变分法[1]讨论GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合三量子阱中激子结合能[2]及其压力效应[3],计算激子结合能随中间阱宽及其两侧垒厚的

会议

GaAs对称耦合量子阱激子结合能压力效应介电常数厚度变化趋势

磁场下GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合三量子阱中杂质态结合能

本文细致考虑阱和垒中介电常数的差别,采用变分法[1]讨论磁场下GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合三量子阱中杂质态的结合能[2,3],计算杂质态结合能随杂质位置和中间阱宽及其两侧垒厚

会议

无磁场GaAs对称耦合量子阱杂质态结合能变化趋势位置

中国物理学会2012年秋季学术会议导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的影响及其压力效应

以三角势近似界面导带弯曲,采用变分理论研究了有限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点[1]中杂质态的结合能[2].并考虑电子的有效质量[3],材料的介电常数以及禁带宽度随流体静压

会议

中国物理学会秋季学术会议带弯曲有限深GaN球形量子点

妇女屏障避孕法研究的新进展

妇女屏障避孕法研究的新进展鼓励计划生育对象较谨慎地使用屏障避孕法的一种手段是保证她们能选择自己喜欢的避孕方法。几种新的屏障避孕法（包括一些正在进行临床试验的方法）正

期刊

避孕方法性传播性疾病临床试验避孕剂壬苯醇醚临床安全性宫颈帽结合物热带气候印度楝