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本研究利用低温磁控溅射技术来制备不同厚度的ITO导电膜层,膜层厚度影响着导电膜层的光、电学性质。本研究探索和分析了ITO导电膜层厚度与透光率和电阻值两个相互矛盾的指标之间的关系。在一定范围内,随着膜层厚度的增加透光率和电阻阻值随之降低。在厚度为319.8 nm时得到了实验电阻和透光度的较好值电阻19.5Ω,透光度为75.7%。