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对热压烧结BaTiO<,3>陶瓷的介电性能的研究发现，未退火的样品有极高的室温介电常数和介电损耗，样品退火后则表现与常规空气和氧化气氛烧结样品同样的介电性能变化规律。采用俄歇能谱分析样品发现，钛离子价态的变化是引起介电性能突变的原因。
介电性能突变的俄歇能谱分析
【摘 要】
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对热压烧结BaTiO陶瓷的介电性能的研究发现，未退火的样品有极高的室温介电常数和介电损耗，样品退火后则表现与常规空气和氧化气氛烧结样品同样的介电性能变化规律。采用俄歇能
【机 构】
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科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室
【出 处】
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第十届全国高技术陶瓷学术年会
【发表日期】
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1998年期
其他文献
利用FLAPW(Full-potential Linearized Augmented Plane Wave)方法，计算了简单金属的电子结构。利用super-cell模型，研究了金属俄歇(Auger)电子发射过程中，在内壳层电子被激发后