芳杂环共轭聚席夫碱金属螯合物的合成与表征

来源 :2005年全国高分子学术论文报告会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yy13720
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近几十年来,聚席夫碱由于其许多优异的性能,如热稳定性、液晶性、本征导电性和螯合性等等,引起了广大学者持久的研究兴趣。特别是主链中的芳杂环结构和整个分子的共轭作用,不仅使聚合物具有良好的耐热性能[4],而且与金属离子有较好的配位能力,使得这类聚席夫碱及其衍生物广泛应用于铁磁性材料、导电材料、复合材料、光电材料和核磁共振成像中的造影剂等。 为了进一步探寻高性能、更优异的新型有机材料,本文报道了以2,2 -二氨基-4,4 -联噻唑(DABT )和1,10-邻菲咯啉-5,6-二酮 (phon) 溶液缩聚制备的一种新型芳杂环聚席夫碱(phonBT ),以及其与过渡金属离子(Fe2+, Ni2+, Cu2+)形成的螯合物的合成。利用红外对聚合物和螯合物的结构进行了表征, 并用EDTA络合滴定法测定螯合物中金属离子的含量。在此聚合物的结构单元中,联噻唑环和邻菲咯啉分别提供两个氮原子与过渡金属离子络合,因此可望用作电、磁和光学材料。
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在迄今已合成的十几种导电聚合物中,聚吡咯因具有稳定的电化学性能、较高的储能效率和合成方法简便等特性而倍受青睐。近年来,有关聚吡咯的组成、结构、导电机理的研究及其化学、电化学合成的方法、应用等都有了较为详细的报道。但将聚吡咯应用于电池正极材料方面国内外文献却很少见到。用于二次电池的正极材料,不仅要求有好的导电性和电化学氧化还原特性,而且要求具有较高堆积密度并且便于加工制作电极膜。化学氧化聚合制得的聚
本文通过N-丙烷磺酸苯胺(SPAN )与层状V2O5 干凝胶(VXG )进行插层原位聚合反应,制备出PSPAN/V2O5 纳米杂化材料,利用导电聚合物PSPAN 的高导电率弥补了纯VXG作为锂离子电池正极材料时载流子传导率较低的缺陷。PSPAN 的插入对V2O5 的骨架结构起到稳定作用。并且PSPAN 中含有 -SO3 -基团,具有自掺杂效应,在充放电过程中对阴离子的迁移量较少,从而改善了循环寿命
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目前人们对CdS 、PbS 等半导体纳米颗粒的三阶非线性光学性质已作了较深入的研究,但是关于纳米粒子的二阶非线性光学性质却研究的较少。汪昕等用HRS 方法测量了表面富镉的CdS 纳米粒子的溶液二次非线性极化率β,量级达10 -27 esu 。而生色团键合于无机母体所制得的有机-无机复合NLO 材料可以解决主客体间的相容性问题,同时也可进一步克服有机生色团的极化松弛。本文以4-(4-对硝基偶氮苯)
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胆甾蓝相(blue phases ,BP)是胆甾相至各向同性相之间存在的相态,不是所有的胆甾液晶都存在蓝相,尤其是液晶聚合物蓝相更是报道的较少。聚合物蓝相的报道始于二十世纪末,最宽的胆甾液晶聚合物蓝相为5 ℃,且在较高温度出现,为了理论研究和应用研究的需要,本研究组合成了不同结构类型的几个系列的蓝相液晶聚合物,且蓝相区间很宽,有的宽达300 ℃以上。