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一种制备h-BN二维原子晶体的新方法离子束溅射沉积
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083
【出 处】
：
第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年7期
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