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本文主要介绍了一种MIS结构在外加脉冲电压时从深耗尽态恢复到平衡态时栅电极上电荷与时间的关系来求得衬底的少了寿命的方法。本文从基本物理图像出发，介绍了该方法的基本理论依据，然后用MEDICI对该方法进行了验证，证明其能够得到比较精确的少子寿命。最后，给出了一种在实际便于芯片级测试的测试结构。
Q-t曲线少子寿命测试方法的仿真验证
【摘 要】
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本文主要介绍了一种MIS结构在外加脉冲电压时从深耗尽态恢复到平衡态时栅电极上电荷与时间的关系来求得衬底的少了寿命的方法。本文从基本物理图像出发，介绍了该方法的基本理
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
【出 处】
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2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会
【发表日期】
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2009年11期
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梁思成,中国近代著名建筑教育家、古建筑文物保护与研究和建筑史学家。1901年4月20日生于日本东京,留学美国哈佛大学。1926年回国,先后创办了东北、清华两座大学的建筑系,曾