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该文研究了快速热退火（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ，ＲＴＡ）工艺对ｎ＋扩散区上Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ／ＴｉＮ／Ｔｉ多层接触可靠性的影响。一系列的晶片级可靠性（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，ＷＬＲ）测试结果表明，快速热退火工艺能够显著地提高接触孔电迁移（Ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ，ＥＭ）的寿命。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱，俄歇电子谱（ＡＥＳ），和透射电子显微镜（ＴＥＭ）分析表明，电迁移寿命的提高是由于ＴｉＮ层中氧原子填充，ＴｉＮ应力减小，和Ｔｉ－Ｓｉ界面ＴｉＳｉ２的形成造成的。