工业原料制备氧化锆陶瓷材料的研究

来源 :第12届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wenlimm
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研究了以工业氧化锆为主要原料,通过添加不同种类的稳定剂和其他添加剂,利用传统的注浆成型工艺,研制开发了性能优异的氧化锆陶瓷材料.
其他文献
系统研究了日本松风烤瓷粉中有代表的遮色瓷、体瓷和切端瓷3种,该3种烤瓷粉的粒度依次变小.实验发现随着粒度降低,浆体的触变性增加,流变参数降低;而用水量增加,浆体的触变性和流变参数则降低.
利用HAAKE制备了以不同的导电物质如碳纤维(CF)、铜和镍粉为填料,以低密度聚乙烯LDPE)为基体的复合材料,着重研究了这些材料在不同的测试频率时的介电性能以及不同填料的体积分数时的介电性能.实验获得的材料的介电性能可以用填料的电导率参数和异质体系结构的界面极化作用来解释.扫描电镜(SEM)获得的复合材料形貌给实验的解释作了有力的佐证,并提出了材料性能与微观结构之间的关系.认为通过添加合适的导电
研究了具有压电正交异性特性的压电复合材料及其压电正交异性传感功能元件、驱动功能元件的构造机理、性能.压电正交异性复合材料在相互垂直的两主方向上呈现出明显的压电特性差异,作为传感元件它能够有效地分解构件中的应力、应变分量,对特定方向上的应力波反应灵敏.作为驱动片,压电正交异性复合材料在相互垂直的两主方向表现出相反的变形,该特性符合一般工程材料的变形规律.压电正交异性复合材料所具有的上述优越特性可使得
介绍以超细碳化硅和氧化铝为原料,采用热膨胀仪制备了AlO-SiC纳米复相陶瓷,研究了纳米SiC在AlO基体中体积含量对AlO- SiC纳米复相陶瓷显微结构的影响.研究发现随着AlO基体中纳米SiC颗粒体积含量的增加, AlO- SiC纳米复合材料的结构逐渐由"晶内型"向"晶间型"转变.但纳米SiC颗粒分布于AlO基体晶粒内部的量并不随着 SiC体积含量的增加而增加.较小的纳米SiC颗粒容易处于Al
研究了用注凝成型工艺制备3向石英纤维增强石英基体复合材料,并探讨了该复合材料的显微结构、力学性能及增韧机理.结果表明:该复合材料具有高的抗弯强度及断理解反应.试样断口的扫描电镜观察分析表明,界面脱粘及纤维拔出吸收了大部分断裂能,是材料呈现出假塑性和增韧机制的主要原因.
介绍了近几年业溶胶-凝胶制备BaTiO系薄膜的发展状况,侧重于稳定溶胶的配制.总结了原料、溶剂、鳌合剂等选用对于溶胶配制的影响.
采用固相烧结法制备出掺杂稀土Yb的NaBiTiO基压电陶瓷,研究了Yb对NaBiTiO压电陶瓷的相结构,介电性质,压电性能的影响.结果表明,经900℃预烧2h的粉体,已经大部分生成NBT主晶相,成型后于1 150℃烧结2h~3h,可以得到致密的NBT陶瓷.Yb掺杂对NaBiTiO基陶瓷的介电常数和介电损耗影响不大,但对压电常数有一定的影响.当在NBT陶瓷中掺杂0.02molYb时,d能达到64pC
利用放电等离子烧结炉(SPS)低温快速烧结了致密的PZT陶瓷.实验表明在15Mpa,1 030℃保温3min的条件下可以烧结得到致密的PZT陶瓷,并研究了烧结温度、压力与烧结密度的相关性,利用SEM观察了样品的断口形貌,探讨了低温快速烧结机理.
通过溶胶-凝胶法(sol-gel)合成了锂钛共掺杂NiO(LTNO)的前驱体纳米粉,然后经高温烧结得到LTNO陶瓷.实验中测试了样品的导电率,Seebeck系数及热导率随温度的变化曲线,并且计算了材料的功率因子(PF)和无量纲品质因子(ZT).讨论了两2杂质的不同作用,并且研究了该类陶瓷的导电机理.结果表明:LTNO陶瓷具有显著的热电效应,在1070K时,其功率因子PF=10W/mK.Li和Ti的
用传统固相法合成了CuBiV联合掺杂的ZnNbO微波介质陶瓷,通过XRD,SEM,EDS等对其微结构进行了系统的研究,并利用HP8720ES型网络分析仪对其微波介电性能进行了测试.结果显示,CuBiV联合掺杂能有效的降低ZnNbO陶瓷的烧结温度到900℃,当CuBiV的掺杂量大于3﹪(质量分数,下同)时,在晶粒间界会形成富含CuBiVZn的第二相,证明烧结的过程中存在着液相. CuBiV联合掺杂的