Si衬底GaN LED材料生长及芯片制备

来源 :2006光电器件及光电显示产业论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ddd12322

【摘要】

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本研究在硅衬底上生长了高质量的无裂纹GaN薄膜并制备了多量子阱LED结构,通过把外延层热压焊到另一个硅衬底上并去除生长衬底,实现了外延层的转移,制备了出光面为N型层的垂直

【作者】

：

江风益王立莫春兰方文卿郑畅达

【机构】

：

晶能光电江西有限公司,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

【出处】

：

2006光电器件及光电显示产业论坛

【发表日期】

：

2006年12期

【关键词】

：

硅衬底薄膜芯片发光强度

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本研究在硅衬底上生长了高质量的无裂纹GaN薄膜并制备了多量子阱LED结构,通过把外延层热压焊到另一个硅衬底上并去除生长衬底,实现了外延层的转移,制备了出光面为N型层的垂直结构LED芯片.通过对芯片表面进行粗化处理,大大提高了芯片的发光强度.对制备的硅衬底GaN LED的光电参数和可靠性进行了全面的测量和分析.

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