【摘 要】
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本文提出一种具有抗单粒子烧毁(Singer Event Burnout,SEB)能力的终端结构,本结构是在完成200V P-channel抗辐照VDMOS项目基础上进行的,借助仿真软件,通过对传统终端结构和本
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文提出一种具有抗单粒子烧毁(Singer Event Burnout,SEB)能力的终端结构,本结构是在完成200V P-channel抗辐照VDMOS项目基础上进行的,借助仿真软件,通过对传统终端结构和本文所提带有SIPOS材料的终端结构的击穿特性和抗SEB能力进行比较可得,在使用LET分别为28MeV/(mg/cm2)的Cu离子和36.8MeV/(mg/cm2)的Br离子作为粒子辐照源进行仿真时,本文所提的终端结构可提高器件终端击穿电压,同时由单粒子效应产生的瞬态电流峰值可降低两个数量级,从而能够有效地防止VDMOS器件寄生三极管的开启,进而烧毁.
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