SiC/BN复相陶瓷的放电等离子低温烧结及性能

来源 :第十二届全国工程陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:leonzhou
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  以高纯h-BN和SiC纳米粉体为原料,氧化硼(B2O3)为烧结助剂,利用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结制备了h-BN-25%SiC复相陶瓷,采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对试样的物相组成和显微结构进行了分析,研究了h-BN-SiC复相陶瓷的SPS低温烧结行为及烧结温度(1450℃、1500℃、1550℃、1600℃)对烧结试样的致密度、微观结构及力学性能的影响.结果表明,采用SPS烧结技术在较低温度下即可获得致密度较高的烧结样品,烧结温度的升高促进了h-BN晶粒的方向性排列,较大提高了烧结样品的相对密度.随着烧结温度的提高,晶粒尺寸增大,抗弯强度、断裂韧性和弹性模量均获得了提高,并具有相同的增加趋势.由样品断面的SEM分析知,样品晶粒细小均匀,不同烧结温度样品的断裂方式基本相同,主要为沿晶断裂,而且细小SiC颗粒的钉扎效应有助于提高复相陶瓷的断裂强度和断裂韧性.综合比较后确定,在1600℃烧结所得试样的综合性能较好,其抗弯强度、断裂韧性和弹性模量分别为289.2MPa、3.45MPa·m1/2和150.86GPa.
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