【摘 要】
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自旋轨道耦合是一个相对论的结果，它将电子的自旋和电子的运动轨道耦合起来。所以，电子的自旋状态可以由自旋-轨道耦合作用来控制，这使全电学方法控制的自旋器件成为可能。因此，由自旋轨道耦合效应，平面电流可以改变磁性层。然而由自旋轨道耦合效应，通过非磁材料的平面电流产生的积累自旋取向，为垂直于膜面和电流的横向方向。
【机 构】
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华中科技大学光学与电子信息学院,武汉 430074
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自旋轨道耦合是一个相对论的结果，它将电子的自旋和电子的运动轨道耦合起来。所以，电子的自旋状态可以由自旋-轨道耦合作用来控制，这使全电学方法控制的自旋器件成为可能。因此，由自旋轨道耦合效应，平面电流可以改变磁性层。然而由自旋轨道耦合效应，通过非磁材料的平面电流产生的积累自旋取向，为垂直于膜面和电流的横向方向。
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磁性斯格明子是一种新型自旋粒子结构，因为其具有拓扑结构稳定、操作电流密度低、存储密度高等特点，使其有望应用于磁性存储领域。针对目前使用电流驱动斯格明子移动存在的热效应等问题，本实验以压电材料PMN-PT的逆压电效应所产生的应力作为驱动，旨在实现电场作用下对斯格明子的调控和操纵。
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具有拓扑稳定行为的纳米磁性斯格明子(skyrmion)具有极低的驱动电流和极高的运动速度，其自旋拓扑磁结构有望成为高密度、高速度、低能耗的磁信息存储单元。我们的中心对称结构MnNiGa合金材料在极宽温区100K-340K具有拓扑霍尔效应，且Lorentz TEM实空间观察到skyrmion稳定存在。基于此工作，此次报告是通过对MnNiGa薄片两端注入电流来调控skyrmion的密度。
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