论文部分内容阅读
本文采用光电化学方法和电化学方法对3-氨基-1,2,4-三氮唑(ATA)对铜的缓蚀作用机理进行了研究。结果表明，在电位正向扫描过程中，产生光响应的原因是铜电极表面的Cu2O膜，在电位负向扫描过程中产生的阴极光电流峰值明显增大，缓蚀剂浓度越大，光电流越大，缓蚀效果越好，当缓蚀剂ATA浓度达到一定程度时,阴极光电流下降但比空白高。光电化学研究表明ATA对铜的缓蚀产生了作用。电化学测试结果表明，ATA对铜有明显的缓蚀作用，当其浓度为30 mg·L-1时对铜的缓蚀效果最佳，缓蚀效率达90.71％，其吸附行为符合Langmuir吸附等温式, 吸附机理是典型的化学吸附。