二维金属相硫化物/g-C3N4纳米复合材料的光催化分解水制氢性能研究

来源 :第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:neubupt
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  近年来,越来越多的研究人员研究了石墨化碳氮化物(g-C3N4),它一种活性高和稳定性强的光催化剂,具有大的比表面积,合适的带隙,短的本体扩散长度和良好的带边缘位置,具有独特的电子结构和物化性质,可以将太阳能转化为氢能[1]。此外,g-C3N4纳米片为助催化剂的生长提供了丰富的表面位点,以形成二维(2D)光催化剂[2]。这种2D结构具有较大的界面面积,并提供了丰富的电荷转移通道和产生H2的活性位点,从而促进了g-C3N4的光催化性能[3]。先前的报道证明g-C3N4可以进行光催化制氢。然而,主要由于光激发载流子的快速重组,纯g-C3N4并未表现出出色的光催化性能[4],因此需要通过对g-C3N4改性来提高其光催化性能。助催化剂与g-C3N4的组合被认为是解决这一难题的最有效方法。这种组合不仅提供了用于生产氢气的反应位点,而且还改善了助催化剂/g-C3N4界面处的电荷载流子分离[5]。近期,二维(2D)硫化物作为一种新型的助催化剂引起人们的关注。众所周知,MX2(M=W,Mo;X=S,Se)可以通过M和X的不同配位而存在于各种晶相结构中,例如最稳定的半导体2H相和六角形晶胞的三角棱柱配位,金属1T相和扭曲的四边形晶胞的八面体配位,八面体畸变的半金属1T相,已广泛用于电子,光学,能源应用等领域[6]。先前的报道证实1T-MoS2作为助催化剂可以促进光生电子-空穴对的分离而显著提高CdS的光催化制氢性能。因此,二维金属相硫化物可作为助催化剂抑制光生电子-空穴对的复合(图1),从而显著提高光催化剂的制氢性能。
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