【摘 要】
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氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(AlO)上生长出了高质量的镓面极性氮化镓单晶外延膜.用反射高能电子衍射仪(RHEED)、化学腐蚀和原子力显微镜等方法对所生长的氮化镓材料的极性进行了
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH<,3>作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(Al<,2>O<,3>)上生长出了高质量的镓面极性氮化镓单晶外延膜.用反射高能电子衍射仪(RHEED)、化学腐蚀和原子力显微镜等方法对所生长的氮化镓材料的极性进行了研究.室温霍耳测量显示氮化镓外延膜的电子迁移率高达290cm<2>/V.s.
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