【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响应.通过对锗硅气体流量比、以及采用锗流量梯度对本征层带隙分布等进行调控,有效提高了电池的长波响应.以Al 为接触电极的单结非晶硅锗长波典型波段800 nm 量子效率达到10％,
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响应.通过对锗硅气体流量比、以及采用锗流量梯度对本征层带隙分布等进行调控,有效提高了电池的长波响应.以Al 为接触电极的单结非晶硅锗长波典型波段800 nm 量子效率达到10％,>530nm 积分电流密度达到10.14mA/cm2,并保持较高的Voc 和FF；a-Si:H/a-SiGe:H 双叠层的800 nm 量子效率达到20％,a-SiGe:H 子电池短路电流密度达9.77mA/cm2,效率达8.6％.
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