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在中红外激光源中,过渡金属离子掺杂的Ⅱ-Ⅵ族化合物(TM2+∶Ⅱ-Ⅵ),尤其是Cr2+掺杂的ZnS/ZnSe,具有室温量子效率高、吸收和发射截面大、激发态吸收小等优点,成为近年来中红外激光材料领域研究的热点[1],可广泛应用与红外遥感、红外对抗、危险品探测、生物医疗等军事及民用领域.热压陶瓷制备技术由于其成品掺杂浓度可控、可设计性灵活、制备工艺简单等,成为制备TM2+∶Ⅱ-Ⅵ激光材料尤其是大尺寸材料的一种可行方法[2,3].