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碲镉汞（MCT）是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪-红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜：MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面的基础。该文简单介绍了采用液相外延（LPE）技术、分子束外延（MBE）技术和有机金属化学汽相沉积（MOCVD）技术生长MCT薄膜的情况，并将三种外延生长技术及所生长的MCT薄膜进行了简单的比较，还简单介绍了国内使用二种外延生长技术生长的MCT薄膜制作器件的情况，并简要讨论了MCT薄膜中存在的结构缺陷。