【摘 要】
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采用Cu0.8Ga0.2和In2Se3预置膜硒化法制备了不同[Cu]/[In+Ga]原子比的铜铟镓硒(CIGS)薄膜,考察了Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能.SEM结果表明,随着[Cu]/[In+Ga]原子比的增加,晶粒明
【机 构】
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清华大学材料学院,先进成形制造教育部重点实验室
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采用Cu0.8Ga0.2和In2Se3预置膜硒化法制备了不同[Cu]/[In+Ga]原子比的铜铟镓硒(CIGS)薄膜,考察了Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能.SEM结果表明,随着[Cu]/[In+Ga]原子比的增加,晶粒明显增大.Raman光谱显示Cu2-xSe二次相有在薄膜表面析出的趋势.Hall测试结果显示,Cu2-xSe相的存在使得薄膜载流子浓度升高,迁移率降低.富铜CIGS薄膜析出Cu2-xSe相的趋势更明显,其薄膜及相关电池的性能较差,不能获得好的光伏特性曲线.而接近标准化学计量比和贫铜的薄膜在较宽的成分范围内,获得了平均效率接近10％的转换效率.
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