【摘 要】
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本文介绍了一种具有多种保护功能的抗辐射加固铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路结构复杂,保护功能完善,大大提高了系统的使用可靠性.本文主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃~125℃全温范围内,输出延迟时间≤300ns,输出上升时间≤100ns,输出高电平≥19V,输出低电平≤0.3V,抗总剂量指标达到1×10rad(Si)。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第24研究所,重庆,400060
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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本文介绍了一种具有多种保护功能的抗辐射加固铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路结构复杂,保护功能完善,大大提高了系统的使用可靠性.本文主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃~125℃全温范围内,输出延迟时间≤300ns,输出上升时间≤100ns,输出高电平≥19V,输出低电平≤0.3V,抗总剂量指标达到1×10<5>rad(Si)。
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