【摘 要】
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AlN has a good application for ultraviolet optoelectronic devices and high power electronics, due to its know n properties of wide direct band gap (～6.1 eV), high temperature stability, and high therm
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AlN has a good application for ultraviolet optoelectronic devices and high power electronics, due to its know n properties of wide direct band gap (～6.1 eV), high temperature stability, and high thermal conductivity.
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目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效率,其中一个有效的方法就是在LED的有源层和Si衬底之间插入分布布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector,DBR).
GaN是一种重要的直接带隙半导体,在黄绿光发光器件上有广泛的应用.有机聚合物聚对苯乙炔(PPV)材料,具有工艺简单、能耗低、高荧光效率、易成膜性等优点.将6aN材料与PPV结合,形成宽带隙材料和有机材料的复合结构,有可能形成出新的电子跃迁能级体系,实现新的电子复合发光通道.
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石上生长了铟镓氮量子点外延结构,通过变温(4K～300 K)光致发光(PL)实验详细分析了量子点中的载流子的输运情况。我们发现,在355 nm Nd∶ YVO4激光器激发下,随着温度升高,PL谱的峰位呈现与量子阱类似的"S型"变化,即红移——蓝移——红移,表明量子点内具有很强的局域效应。同时我们观察到在某个温度范围内,量子点的发光强度会随温度的升高而
光器件的发展决定了光通信系统的水平,现代光通信用器件主要是Ⅲ-V族半导体化合物材料.器件集成度越来越高,需要先进的外延生长设备来支撑,外延材料的质量在很大程度上决定了光器件的质量.对于光子集成发射器芯片,并行多波长分布反馈激光器(DFB)阵列是其核心器件,其要求与国际ITU标准波长对准,偏差不超过±10％.
Following the presentation of the first GaN-based laser diode, major steps towards high power, long lifetime have been made.These LDs require high reliability in which heat dissipation of the diode sh
本文介绍了将CVD制备的单层石墨烯大面积地转移至紫外纳米压印制备的GaN纳米柱和自组织镍(Ni)金属掩膜制备的GaN纳米柱两种结构,形成了一维GaN纳米柱与二维石墨烯的复合结构,并进行了对比表征.纳米压印技术制备的纳米柱具有很好的周期性和平整的柱顶;而自组织镍掩膜技术制备的纳米柱是无序的,具有较尖锐的柱顶.
垂直外腔面发射激光器(Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers,VECSEL)是一种新型半导体激光器,由于其具有可与固体激光器想媲美的输出功率及光束质量,同时兼具半导体激光器低成本及结构紧凑等优点,在激光显示、激光泵浦及生物医学研究等领域均有很好的应用前景.
AlGaN是第三代宽禁带半导体材料的重要代表之一,可广泛应用于紫外光电子器件及电子器件,因而受到极大的关注.近年来,随着AlN/蓝宝石模板等技术的突破和发展,AlGaN基紫外LED的性能也获得快速提升,国内外多家机构相继研制出了单芯片出光功率达毫瓦级的平面结构AlGaN基深紫外LED(发光波长短于280 nm)[1-2].
Ⅲ族氮化物半导体材料在固态照明、蓝光激光器、高迁移率高功率电子器件中已经得到了成功的应用,向深紫外和更高的功率密度发展正在成为大家关注的热点.AlN及其合金的带隙覆盖了200-365nm紫外光谱范围,是制备深紫外光电器件和高频大功率微波器件的理想材料,引起国内外的广泛关注[2-5].
Ⅲ族氮化物半导体深紫外LED在水净化,紫外线治疗,生物分析等方面有巨大的应用价值和潜力[1].然而,尽管人们在深紫外LED方面开展了大量研究工作,但极低的光抽取效率依旧限制深紫外LED的性能,尤其随着Al组分提高,波长越短,LED的效率也越低[2,3].