【摘 要】
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本文提出一种适用于Ⅲ-Nitride半导体材料的等离子体干法刻蚀结合氧化/湿法腐蚀的两步刻蚀方法,利用该方法成功制备了一种高性能增强型Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件.该两步刻蚀方法首先使用等离子干法刻蚀实现表层AlGaN势垒层的快速刻蚀,然后利用O2等离子体干法氧化/盐酸湿法腐蚀对近2-DEG沟道AlGaN势垒层进行高精度慢速刻蚀。本文所提出的刻蚀方法能精确控制刻蚀深度并有效降
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 中国电子科技集团公司第五十八研
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文提出一种适用于Ⅲ-Nitride半导体材料的等离子体干法刻蚀结合氧化/湿法腐蚀的两步刻蚀方法,利用该方法成功制备了一种高性能增强型Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件.该两步刻蚀方法首先使用等离子干法刻蚀实现表层AlGaN势垒层的快速刻蚀,然后利用O2等离子体干法氧化/盐酸湿法腐蚀对近2-DEG沟道AlGaN势垒层进行高精度慢速刻蚀。本文所提出的刻蚀方法能精确控制刻蚀深度并有效降低传统等离子干法刻蚀带来的晶格损伤，从而大幅提高器件性能.利用本方法制备的增强型Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件阈值电压Vth=1.35 V、最大跨导Gm=172 mS/mm、Vgs=7V时最大输出电流密度高达624mA/mm。
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