【摘 要】
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利用射频溅射系统在p型Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜。对其进行600～1000 ℃的常压下N2保护退火.通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变.通过不同温度退火
【机 构】
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北京工业大学,应用数理学院,北京,100022
【出 处】
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第六届中国功能材料及其应用学术会议
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利用射频溅射系统在p型Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜。对其进行600～1000 ℃的常压下N2保护退火.通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变.通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动,计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化。发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题,可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性。并且探索性地讨论在退火过程中c-BN成核、生长与薄膜中应力变化的关系.
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