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用C〈,2〉H〈,4〉在不同条件下将Si(100)衬底碳化形成SiC的缓冲层,并在其上生长了SiC,研究了碳化层对外延生长的影响。在固定温度下碳化洁净的Si(100)面,形成了多晶SiC缓冲层;在升温过程碳化或保留升温过程形成的SiC进一步碳化,形成了孪晶SiC缓冲层。多晶缓冲层上外延的SiC为多晶,在孪晶缓冲层上外延SiC时,最初为孪晶,随着生长时间的延长,孪晶消失,形成单晶SiC。外延层的结构受缓冲层的结构的影响。