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用Ｃ〈，２〉Ｈ〈，４〉在不同条件下将Ｓｉ（１００）衬底碳化形成ＳｉＣ的缓冲层，并在其上生长了ＳｉＣ，研究了碳化层对外延生长的影响。在固定温度下碳化洁净的Ｓｉ（１００）面，形成了多晶ＳｉＣ缓冲层；在升温过程碳化或保留升温过程形成的ＳｉＣ进一步碳化，形成了孪晶ＳｉＣ缓冲层。多晶缓冲层上外延的ＳｉＣ为多晶，在孪晶缓冲层上外延ＳｉＣ时，最初为孪晶，随着生长时间的延长，孪晶消失，形成单晶ＳｉＣ。外延层的结构受缓冲层的结构的影响。