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光刻胶是集成电路和半导体分立器件微细加T技术中的关键性材料，传统的光刻胶主体材料采用分子量5000～15000道尔顿的聚合物树脂，这类聚合物树脂通常由于分子体积太大、分子量多分散以及分子链的缠绕等原因影响光刻图案的分辨率和边缘粗糙度。通过降低光刻胶主体材料的分子量，使其达到单一分子状态，形成单分子树脂，是实现高分辨光刻的一种重要方法。本文设计合成了一系列基于不同化学结构的单分子树脂，并对其极紫外光刻胶配方和光刻效果进行了研究和评价。