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纳米尺度的Ag(TCNQ)薄膜的电特性

来源 :中国真空学会五届三次理事会暨学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jj806778025

【摘 要】

：

研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ)在STM针尖下的电特性,观察到在纳米尺度下Ag(TCNQ)从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象,阻态间的跃迁可以重复进行,其阈值电压比交叉电

【作 者】

：

范智勇 陈国荣 莫晓亮 姚彦 杨剑 蔡亲佳 顾海华 华中一 

【机 构】

：

复旦大学材料科学系(上海)

【出 处】

：

中国真空学会五届三次理事会暨学术会议

【发表日期】

：

2001年10期

【关键词】

：

微分负阻 随机存储器 薄膜材料 电特性 纳米尺度 

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研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ)在STM针尖下的电特性,观察到在纳米尺度下Ag(TCNQ)从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象,阻态间的跃迁可以重复进行,其阈值电压比交叉电极"三明治"结构的情况要低得多.另外,研究了Ag(TCNQ)电存储特性,包括写入、读出和擦除特性,结果表明Ag(TCNQ)可以作为超高密度的随机存储器的材料.

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