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利用X射线对在不同负载条件下的VDMOS进行了辐射试验，观察到VDMOS不同的辐射行为，在较大的负载情况下，VDMOS阈值电压漂移发生了“回弹”(rebound)，比无辐射情况下更大，表明VDMOS在大功率负载情况下发生了辐射退火效应，辐射损伤在大功率负载条件下得到了部分修复。及时退火效应导致阈值电压漂移的回弹主要因素，可以认为是VDMOS弱反型界面态电荷的退火引起，等效电荷量为-2.3×1011/cm2。从跨导来看，受到辐射的样品均表观出界面态Qit的增加。