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本文介绍了一种基于传统CMOS工艺,设计并制造的以硅纳米线为导电沟道、同时具有正栅和背栅结构的双栅场效应管.笔者通过对不同栅压下该器件沟道电流变化的测量分析,深入研究了场效应管的电学性能,结果表明,该器件的沟道电流变化率与其工作电压密切相关,可通过控制栅压增加此类器件传感器的灵敏度.
一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管
【摘 要】
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本文介绍了一种基于传统CMOS工艺,设计并制造的以硅纳米线为导电沟道、同时具有正栅和背栅结构的双栅场效应管.笔者通过对不同栅压下该器件沟道电流变化的测量分析,深入研究
【机 构】
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中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室,传感技术国家重点实验室,上海200050
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2014年期
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