【摘 要】
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本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的
【机 构】
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江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,中国·南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的面内压应变(|εxx|,|εyy|<0.86％)条件下具有很低的发光效率,不利于制作面发射光子器件,而有利于降低边发射激光二极管的阈值电流。另一方面,c面AlN在受到较大的面内压应变(|εxx|,|εyy|>2.16％)时,面内发光效率将得到极大的提高,有利于制作面发射光子器件。这些结果对于应变操纵下的器件结构设计具有重要的指导意义。
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