目前,毫米波固态电子学器件与电路已经广泛应用于卫星通信、光纤通信、宽带无线传输、雷达、成像探测和医疗诊断等人们生产生活和国防安全的众多领域,成为毫米波电子系统中不可或缺的关键部件.随着材料、器件和电路制备技术的进一步发展和成熟,特别是分子束外延技术的稳步发展、亚微米深亚微米工艺制备技术的进一步提高以及三维系统级封装技术的不断推进,以GaAs和InP为代表的III-V族化合物半导体器件和电路得到了飞速发展,瞄准地球环境监控与大气研究、深空探测与成像以及超高速大宽带无线通信系统的重大需求牵引,器件和电路的性能有了长足进步,工作频率也逐渐跨入了太赫兹频段,该领域的研究也成为了国际上大多数国家和机构关注的焦点.本文阐述了毫米波太赫兹三端固态电子学器件与电路研究进展。太赫兹两端固态电子学器件与电路研究进展以及国内相关研究进展。研究表明：尽管在毫米波太赫兹固态电子学器件与电路方面国内取得了不错的成绩，但是必需清醒地看到，由于国内起点较低，长期投入较少，加上国外技术封锁和禁运，相关方面特别是器件和电路的工艺制备与国际顶尖水平还有较大差距，有待建立材料、器件和电路完整的产业链生态系统，促进该领域健康、可持续发展。