新型L10-MnGa基磁性隧道结的研制

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yinxiaomei

【摘要】

：

垂直磁各向异性材料由于其在自旋电子学器件、高密度磁存储等领域具有重要的应用价值而备受关注.L10-MnGa合金具有较大的垂直磁各向异性(26Merg/cc)、较低的磁阻尼因子(0.003)和较高的自旋极化度(～71％),是亚10nm CMOS工艺节点以下STT-MRAM的备选体系之一；同时,通过调控薄膜制备工艺及结构设计,L10-MnGa薄膜可以具有高达4T的矫顽力,这使制备新型宽响应范围磁敏传感

【作者】

：

鲁军赵旭鹏毛思玮赵建华

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,北京 100083

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

垂直易磁化隧道结磁敏传感器 L10-MnGa

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