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本文着重探讨了单δ<,Si>平面掺杂Al<,0.30>Ga<,0.70>As/Ga<,0.8>In<,0.2>As/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化.
AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT分子束外延材料生长研究
【摘 要】
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本文着重探讨了单δ平面掺杂AlGaAs/GaInAs/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化.
【机 构】
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信息产业部电子13所(石家庄市)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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