【摘 要】
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联噻吩和/或并噻吩是OFET材料的重要结构单元.我们通过选择性的活化芘环的不同位点,成功合成了一系列硫桥芘-苯并噻吩(PTAs)并对它们的晶体结构和光电性质进行了充分的研究.含有一个硫原子的三个位置异构体的空穴迁移率均在 10-3cm2/Vs 数量级,其中[3,4-]位芘衍生物(4-S-PTA)光谱红移最明显,荧光量子产率(0.6)最高,分子间π-π堆积最强,迁移率也最高[1].进一步的研究表明,
【机 构】
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晶体材料国家重点实验室,山东省济南市山大南路27号山东大学,250100 中国科学院上海有机化学研
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联噻吩和/或并噻吩是OFET材料的重要结构单元.我们通过选择性的活化芘环的不同位点,成功合成了一系列硫桥芘-苯并噻吩(PTAs)并对它们的晶体结构和光电性质进行了充分的研究.含有一个硫原子的三个位置异构体的空穴迁移率均在 10-3cm2/Vs 数量级,其中[3,4-]位芘衍生物(4-S-PTA)光谱红移最明显,荧光量子产率(0.6)最高,分子间π-π堆积最强,迁移率也最高[1].进一步的研究表明,含有并噻吩结构的双硫化合物2-S-S-PDTA比单硫化合物的迁移率提高接近一个数量级,初测结果即达到1.8×10-2 cm2/Vs.
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非均质条件下核素迁移规律分析是核工程领域环境模拟中一项具有挑战性的工作。通过重新分析用于模拟降雨入渗和示踪剂释放迁移的土柱(填装砂土和粘土)实验，基于对流弥散方程(ADE)和连续时间随机游走(CTRW)理论模型，我们对实验穿透曲线进行了反向模拟，定量分析了锶(模拟Sr-90)的non-Fickian弥散迁移规律。
氧化物热电材料因为高温稳定,无污染,制备方便等特性而受到了热情关注[1,2].用离散变分密度泛函方法(DFT-DVM)计算了失配层钴酸盐Ca3Co4O9及其掺La系列,讨论了电子结构,化学键等与热电性能之间的关系.Ca3Co4O9由CoO2和Ca2CoO3两层交替组成,这两层具有不同的晶胞参数b而称为失配层化合物.计算结果表明,Ca3Co4O9的态密度费米能级附近的价带和导带主要由Ca2CoO3层
基于绝热参数定义提出一种改进的模型用于研究几种入射分子、离子-表面碰撞系统的能量转移.研究的体系包括 Ne 原子在正己基硫烃自组装单层膜(H-SAM)表面，质子化多肽甘氨酸二聚体(gly2-H+)和丙氨酸二聚体(ala2-H+)在氟化烷烃自组装单层膜(F-SAM)表面 [1] 和金刚石{111}表面的散射.转移到表面的平均能量与入射能 Ei的依赖关系可用如下公式表达 Poexp(-b/Ein).参
三聚吲哚是一种扩展了的离域π共轭体系，可以看做三个咔唑共用一个苯环，核中的三个氮原子具有给电子能力，有利于分子内的电荷转移，另外核的外围有多个反应活性位点，令功能基团连接在不同的活性位点可以构建多种八极分子[1]，新的八极分子由于共轭程度的进一步增大，将大大提升分子的光电性能.我们以三聚吲哚平面为核心，在N原子上引入苯基基团，利于分子的结晶，并提升其化学稳定性及热稳定性，进一步以苯炔基为共轭桥，以
含有三芳胺结构的聚酰亚胺具有电阻记忆效应、光伏效应而受到关注.由于该种材料在氧化还原时产生不同价态的离子,因此可以用于伪装、汽车的后视镜、航天器与房屋的智能窗、显示器件与传感器等.通过一种很简单有效的方法制备了一系列聚酰亚胺/氧化石墨烯(PI/GO)复合物,即使用聚酰胺酸(PAA)/GO作为前驱体,再通过高温闭环得到PI/GO.PAA与GO之间是通过化学键连接的,这可以很好的抑制GO在高温亚胺化反
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近年来，通过调控分子偶极的作用方式来调节有机固体的发光效率成为人们研究的热点。例如，向分子共轭体系中引入极度扭折[1]或非平面构型的结构能有效地制备固态强荧光材料[2]，通过共价有机骨架结构构建互锁的网络结构限制单体基元的扭转[3]，是发展固态强荧光材料的另一强有力途径。本论文基于双吲哚马来酰亚胺(BIMs)的非平面构型以及分子中存在交叉的D-π-A结构的特性，通过N-烷基化反应[4]高效率地构筑
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