【摘 要】
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本文首次利用射频磁控溅射成功制备了CuAlO2/Si异质结,XRD结果表明CuAlO2薄膜具有(001)趋向生长的特点,正的霍尔系数确定薄膜的p型特性.Ⅰ-V测试显示CuAlO2/Si异质结具有
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院,北京100022
【出 处】
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2007两岸三地博士生NBIC学术论坛
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本文首次利用射频磁控溅射成功制备了CuAlO2/Si异质结,XRD结果表明CuAlO2薄膜具有(001)趋向生长的特点,正的霍尔系数确定薄膜的p型特性.Ⅰ-V测试显示CuAlO2/Si异质结具有良好的整流特性,结的开启电压约为0.5V,在±1.5V时正向电压和反向电压比达到35.根据p-n+单边突变结理论我们对CuAlO2/Si异质结的电流曲线进行了模拟,结果表明界面效应和串联电阻效应是影响结性质的重要因素.
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