晶硅生长产业技术方向探讨

来源 :第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:maqianjin123
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  近几年全球光伏安装量中约90%是晶硅组件,其中约50%是基于铸造法多晶硅片,约40%是基于直拉法单晶硅片.对比典型的130Kg 投料直拉单晶工艺,投料量大4 倍(约500Kg)的铸造多晶有相近的每炉生长周期,坩埚成本,电耗和氩气耗量,其结果就是直拉单晶硅片成本比多晶硅片高约2 元/片.对于当前主流的电池结构,(即掺B 的P 型硅片,正面磷扩散加SiN 钝化减反层,背面Al背场,丝网印刷电极结构),由于电池正/背表面较强的载流子符合和直拉单晶硅片中B-O 复合体的形成,直拉单晶的优异的内在晶体质量不能得到充分发挥,加之过去半年铸造多晶技术在成核控制和晶粒保持方面的快速进展,当前典型的单晶电池效率是18.6%,多晶电池效率约17.3%.考虑到直拉单晶硅片1.8%的圆角面积损失,1%以上的B-O 光衰减和2%的额外电池-组件损失,18.6%的单晶电池只相当于约17.7%的多晶电池,60 片单晶组件的有效功率只比多晶组件高约6瓦.
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