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为了实现ＣｏＳｉ〈，２〉在深亚微米ＣＭＯＳ器件中的应用，作者对钴硅化物自对准工艺作了深入的研究。该文首先详细阐述了采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ复合膜结构的两步快速热处理在（１００）硅表面外延生长单晶ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜的方法，工艺参数以及Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ〈，２〉复合膜结构的热反应特性。进而将单晶ＣｏＳｉ〈，２〉用于二极管的接触阻挡层，利用单晶ＣｏＳｉ〈，２〉／（１００）Ｓｉ之间较为平坦的界面来部分 解决由表面金属的硅化反应引入的反向漏电流增大的问题。针对Ｃｏ硅化的浅结二级管容易出现的漏电流增大的现象，作者分析了漏电增加的机理，并据此采用了几种方法来达到减小其漏电流的目的。实验表明，通过单晶ＣｏＳｉ〈，２〉的应用，适用于０．１μｍ的浅结（Ｘｊ＝１１０ｎｍ）经硅化后可以得到令人满意的反向漏电流密度。