MOCVD法生长AlGaAs的组分控制研究

来源 :第六届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baihe8302
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文本以常压MOCVD(AP-NOCVD)系统为对象、分析了Al<,x>Ca<,1-x>As生长过程中控制多数对气相Al组分含量量XAl和固相Al组分含量X之间关系的影响。结果表明,在采用AP-MOCVD系统生长AlCaAs时,在生长的质量传输控制区以及v族源大大过量的条件下,气相含氧杂质和源物质气相反应等会造成Al分配系数k<,Al> 对1的有规律偏离、TMAl质量流量F<,A1>、低时,K<,A1>偏低,F<,A1>高时,k<,A1>偏高。若将理论分析与实验反应系统和具体生长条件结合起来考虑,有望对l组分含量达到满意控制。
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