【摘 要】
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在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用"ECR-PECVD"可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(≤550℃)制备多晶硅薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响.通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
【出 处】
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2006北京国际材料周暨中国材料研讨会
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在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用"ECR-PECVD"可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(≤550℃)制备多晶硅薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响.通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数.
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