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利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭,仅为0.4μB.该理论结果对实验有指导意义.
Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
【摘 要】
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利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭,仅为
【机 构】
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东华大学应用物理系,上海松江大学城,人民路2999号,201620
【出 处】
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第十五届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM'2010)
【发表日期】
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2010年8期
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