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本文在实验和计算机模拟计算的基础上,讨论了四价添加剂对ZnO压敏电阻器性能的影响和作用机理。研究表明,优选的四价元素的掺杂能有效的降低ZnO晶粒的电阻率。降低了残压比;通过提高晶界氧离子的电离度,使晶界势垒高度上升,提高了ZnO的压敏电压梯度。并利用扫描电子显微镜、电子探针对结果进行了分析。