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探索用静态小电流参数对CMOS电路ESD潜在损伤进行分析诊断，给出受ESD潜在损伤电路静态小电流参数变化的一些特征，对用静态小电流参数变化表征潜在损伤器件的条件和局限性进行了讨论。
探索用静态小电流参数表征CMOS电路的静电放电（ESD）潜在损伤
【摘 要】
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探索用静态小电流参数对CMOS电路ESD潜在损伤进行分析诊断，给出受ESD潜在损伤电路静态小电流参数变化的一些特征，对用静态小电流参数变化表征潜在损伤器件的条件和局限性进行了
【机 构】
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信产部电子五所(广州)
【出 处】
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第八届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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1999年9期
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