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设计出一种基于BiCMOS工艺,针对电压基准源的高阶补偿方法。采用分段线形补偿原理,所设计基准具有较好的温度特性,PSRR.根据SPICE仿真,在其产生的带隙基准电压在-40℃～120℃范围内,得到温度系数仅有2.4ppm/℃.
一种分段线性温度补偿的基准源
【摘 要】
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设计出一种基于BiCMOS工艺,针对电压基准源的高阶补偿方法。采用分段线形补偿原理,所设计基准具有较好的温度特性,PSRR.根据SPICE仿真,在其产生的带隙基准电压在-40℃～120℃范围内,得到温度系数仅有2.4ppm/℃.
【机 构】
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电子科技大学薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
【发表日期】
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2007年4期
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