表面有效态密度及其在MOS结构建模中的应用

来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wgguihuake
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
该文从载流子在MOSS结构反型层内的分布特性出发,提出了表面有效态度(SLEDOS:Surface Layer Effective Density-of-States)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架内的电荷分布模型。模型引入了一种高效的迭代方法,具有较高的计算效率和很强的稳定性。在模型基础上,研究量子比效应对反应型层载流子浓度和表面电势的影响。进而SLEDOS的概念建立了一个开启电压量子化效应的修正模型。
其他文献
一种新的PLA折叠方法——CPSF(互补对串联折叠法),在折叠过程中,当加入一对新的折叠列后,有时要产生“Cycle”。该文利用I[**]L工艺结构,提出了两种方法:横向二次注入法和相位输出法
该文对一种采用CMOS工艺的混合双极-MOS(BMHMT)器件和电路进行研究,与普通MOS器件相比,它具有低阈值电压,高跨导和驱动电流大等优点,可以代替双极型器件作为BiCMOS电路的驱动级,作者对BMHMT的结构及使用进行了优
该文通过国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载子损伤叠加实验,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面
会议